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半導體激光器的特點及應用范圍

來源:鞍山核心電子技術有限公司 作者:核心電子

  半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件,而雙異質結激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器。它體積小、壽命長,并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出。由于這些優(yōu)點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面以及獲得了廣泛的應用。

  工作原理

  根據(jù)固體的能帶理論,半導體材料中電子的能級形成能帶。高能量的為導帶,低能量的為價帶,兩帶被禁帶分開。引入半導體的非平衡電子-空穴對復合時,把釋放的能量以發(fā)光形式輻射出去,這就是載流子的復合發(fā)光。一般所用的半導體材料有兩大類,直接帶隙材料和間接帶隙材料,其中直接帶隙半導體材料如GaAs(砷化鎵)比間接帶隙半導體材料如Si有高得多的輻射躍遷幾率,發(fā)光效率也高得多。半導體復合發(fā)光達到受激發(fā)射(即產生激光)的必要條件是:①粒子數(shù)反轉分布分別從P型側和n型側注入到有源區(qū)的載流子密度十分高時,占據(jù)導帶電子態(tài)的電子數(shù)超過占據(jù)價帶電子態(tài)的電子數(shù),就形成了粒子數(shù)反轉分布。②光的諧振腔在半導體激光器中,諧振腔由其兩端的鏡面組成,稱為法布里一珀羅腔。③高增益用以補償光損耗。諧振腔的光損耗主要是從反射面向外發(fā)射的損耗和介質的光吸收。半導體激光器是依靠注入載流子工作的,發(fā)射激光必須具備三個基本條件:(1)要產生足夠的 粒子數(shù)反轉分布,即高能態(tài)粒子數(shù)足夠的大于處于低能態(tài)的粒子數(shù);(2)有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用,使受激輻射光子增生,從而產生激光震蕩;(3)要滿足一定的閥值條件,以使光子增益等于或大于光子的損耗。半導體激光器工作原理是激勵方式,利用半導體物質(即利用電子)在能帶間躍遷發(fā)光,用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋,產生光的輻射放大,輸出激光。半導體激光器優(yōu)點:體積小、重量輕、運轉可靠、耗電少、效率高等。

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